韓國三星電子今日宣佈已經開始在其位於韓國的華城工廠，大規模生產3納米（3mm）半導體芯片，成為全球首家量產3納米芯片的公司。與前幾代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶體管架構，大大改善了功率效率。三星公司在聲明中談到3納米芯片強勁的地方，就是與傳統的5納米芯片相比，新開發的第一代3納米工藝可以降低45%的功耗，性能提高23%，並減少16%的面積。
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三星今次的宣佈，表面上是壓過最大對手台灣台積電，但有半導體產業分析師指出，半導體發展通常會從摩爾定律來做指標，聚焦在電晶體密度作為評斷製程的依據。所以從電晶體數量來看，三星的3奈米製程就是台積電5奈米，在製程上來看，即便三星先量產3奈米，但仍是落後台積電。
至於傳媒早前聚焦指全球第一季度半導體代工市場排名報告中，除顯示台灣台積電以53.6%的市佔率坐穩龍頭，三星電子則16.3%位居第二。韓媒特別點出中國企業的成長幅度最高，即排名第5的中芯國際等3家企業總市佔率為10.2%，讓人深感中國半導體業的迅速強大和驚人增長。
然而，前中國紫光集團高級副總裁的坂本幸雄（Yukio Sakamoto）在6月初接受《日經中文網》訪問時，被問到中國與世界頂尖水平的差距有多大，他指出，中國長鑫存儲技術（CXMT）在DRAM領域較三星落後4代左右。至於NAND記憶卡領域，據稱中國頂尖的長江存儲科技（YMTC）將啟動儲存元件為128層的量產，雖啟動192層的試生產，但制造的數量過少，還不到談論競爭力的水平。
至於在運算用邏輯芯片領域，中芯國際產品的最細電路線寬還只是14納米，為7、8年前的技術。基於美國制裁，中芯尚難踏入尖端的生產設備，無法涉足高價值的處理器尖端領域，和台積電或三星等龍頭的差距會不斷擴大。
